三離子束切割儀幾乎適用于任何材質(zhì)樣品，獲得高質(zhì)量切割截面。Leica EM TIC 3X進(jìn)行離子束切割適用于切割硬、軟、多孔、熱敏感、脆和/或非均質(zhì)多相復(fù)合型材料，以獲得高質(zhì)量切割截面，更好的適宜于掃描電子顯微鏡（SEM）微區(qū)分析（能譜分析EDS，波譜分析WDS，俄歇分析Auger，背散射電子衍射分析EBSD）和原子力顯微鏡（AFM）分析。

     Leica EM TIC 3X在技術(shù)上超越了傳統(tǒng)的離子束拋光切割設(shè)備。該技術(shù)對(duì)樣品進(jìn)行處理時(shí)，可使樣品受到形變或損傷的可能性zui低，可暴露出樣品內(nèi)部真實(shí)的結(jié)構(gòu)信息。幾乎適用于任何材料，整個(gè)樣品處理過程快速簡(jiǎn)便。

    三離子束切割儀幾乎適用于任何材質(zhì)樣品，獲得高質(zhì)量切割截面。Leica EM TIC 3X進(jìn)行離子束切割適用于切割硬、軟、多孔、熱敏感、脆和/或非均質(zhì)多相復(fù)合型材料，以獲得高質(zhì)量切割截面，更好的適宜于掃描電子顯微鏡（SEM）微區(qū)分析（能譜分析EDS，波譜分析WDS，俄歇分析Auger，背散射電子衍射分析EBSD）和原子力顯微鏡（AFM）分析。

    Leica EM TIC 3X在技術(shù)上超越了傳統(tǒng)的離子束拋光切割設(shè)備。該技術(shù)對(duì)樣品進(jìn)行處理時(shí)，可使樣品受到形變或損傷的可能性zui低，可暴露出樣品內(nèi)部真實(shí)的結(jié)構(gòu)信息。幾乎適用于任何材料，整個(gè)樣品處理過程快速簡(jiǎn)便。

• 可獲得高質(zhì)量切割截面，區(qū)域尺寸可達(dá)>4×1mm
• 多樣品臺(tái)設(shè)計(jì)可一次運(yùn)行容納三個(gè)樣品
• 離子研磨速率高，Si材料150μm/h，50μm切割高度，滿足實(shí)驗(yàn)室高通量要求
• 可容納zui大樣品尺寸為50×50×10mm
• 可使用的樣品載臺(tái)多種多樣
• 可簡(jiǎn)易準(zhǔn)確地完成將樣品安裝到載臺(tái)上以及調(diào)節(jié)與擋板相對(duì)位置的校準(zhǔn)工作
• 通過觸摸屏進(jìn)行簡(jiǎn)單操控，不需要特別的操作技巧
• 樣品處理過程可實(shí)時(shí)監(jiān)控，可以通過體視鏡或HD-TV攝像頭觀察
• LED照明，便于觀察樣品和位置校準(zhǔn)
• 內(nèi)置式，解耦合設(shè)計(jì)的真空泵系統(tǒng)，提供一個(gè)無(wú)振動(dòng)的觀察視野
• 可在制備好的平整的切割截面上可再進(jìn)行襯度增強(qiáng)作用，即離子束刻蝕處理
• 通過USB即可進(jìn)行參數(shù)和程序的上傳或下載
• 幾乎適用于任何材質(zhì)樣品
• 使用冷凍樣品臺(tái)，擋板和樣品溫度可降至–150°C

    三離子束匯聚于擋板邊緣的中點(diǎn)，形成一個(gè)100°轟擊扇面，切向暴露于擋板上方的樣品（樣品上端高出擋板約20-100μm），直到轟擊到達(dá)樣品內(nèi)部目標(biāo)區(qū)域。新型設(shè)計(jì)的離子槍可產(chǎn)生的離子束研磨速率達(dá)到150μm/h (Si10 kV，3.0 mA，50μm切割高度)。徠卡*的三離子束系統(tǒng)，可獲得優(yōu)異的高質(zhì)量切割截面，且速率高，切割面寬且深，這可大大節(jié)約工作時(shí)間。通過這一*技術(shù)可獲得高質(zhì)量切割截面，區(qū)域尺寸可達(dá)>4×1mm。

     現(xiàn)在的科研實(shí)驗(yàn)室往往尋求快速簡(jiǎn)單的樣品制備方法同時(shí)又不放棄高質(zhì)量高標(biāo)準(zhǔn)要求。徠卡EM TIC 3X三離子束切割儀的創(chuàng)新技術(shù)正為這一類有著高期望值的實(shí)驗(yàn)室提供解決方案，以實(shí)現(xiàn)你們的目標(biāo)。根據(jù)應(yīng)用需求，徠卡EM TIC 3X可以由您裝配用于標(biāo)準(zhǔn)類型樣品制備，高通量樣品制備以及特殊的熱敏感型樣品在低溫下樣品制備（如聚合物，橡膠等）。